2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 低温(常温)接合界面及び薄膜成長界面ナノ・キベルネテス(舵手)

[14a-A201-1~8] 低温(常温)接合界面及び薄膜成長界面ナノ・キベルネテス(舵手)

2020年3月14日(土) 09:00 〜 12:15 A201 (6-201)

西川 博昭(近畿大)、山本 哲也(高知工科大)

09:05 〜 09:45

[14a-A201-2] 常温接合と界面制御

須賀 唯知1 (1.明星大学)

キーワード:接合、表面活性化接合、ヘテロインテグレーション

表面活性化接合は、接合媒体を要せずかつCMOSプロセスとの親和性も高いことから異種材料の常温接合法として注目を集めている。その手法はイオン衝撃による表面活性化に基づくが、ガラスなど誘電体の接合には適用できない。そこでSiや金属、酸化物を介在させる拡張SABが提案された。これによりガラス・ポリマやWBG半導体とダイヤモンドの接合が可能となり、広い分野でのヘテロインテグレーションが期待されている。