[14a-A202-1~8] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[14a-A202-3] Synthesis of crack-free Mg₂Si crystal by thermal treatment under inert gas atmosphere

Issei Horiba¹, Kazuhiro Gotoh¹, 〇Yasuyoshi Kurokawa¹, Takashi Itoh¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:silicide, thermoelectric material, energy harvesting

Mg₂Siは600~900 Kの温度域で良好な熱電特性を持ち，構成元素が豊富に存在し，軽量なn型熱電材料として有望である．我々は，MgとSi基板を不活性ガス雰囲気中で熱処理することでMg₂Si結晶を得ることに成功したが，クラックの形成が課題であった．本研究では，薄型結晶Si基板（厚さおよそ55 μm）を用いてMg₂Si結晶の作製を試みた．その結果，10時間の熱処理後，Si基板が全てMg₂Siに置換され，クラックフリーのMg₂Si結晶を得ることに成功した．