[14a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A202-3] 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたクラックフリーMg₂Si厚膜の合成

堀場 一成¹、後藤 和泰¹、〇黒川 康良¹、伊藤 孝至¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：シリサイド、熱電発電材料、環境発電

Mg₂Siは600~900 Kの温度域で良好な熱電特性を持ち，構成元素が豊富に存在し，軽量なn型熱電材料として有望である．我々は，MgとSi基板を不活性ガス雰囲気中で熱処理することでMg₂Si結晶を得ることに成功したが，クラックの形成が課題であった．本研究では，薄型結晶Si基板（厚さおよそ55 μm）を用いてMg₂Si結晶の作製を試みた．その結果，10時間の熱処理後，Si基板が全てMg₂Siに置換され，クラックフリーのMg₂Si結晶を得ることに成功した．