[14a-A302-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-A302-1] サファイア基板上高密度(2.0×10¹¹ cm^-2)GaN量子ドットのMOCVD成長

〇有田 宗貴¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、MOCVD、GaN

MOCVDによるサファイア基板上GaN/AlN量子ドットの自己形成において、材料供給量を連続的に変化させたこととほぼ等価である面内分布の積極的な活用により、高密度(2.0×10¹¹ cm^-2, サファイア基板上の最高密度)のGaN量子ドット形成に成功した。