[14a-A302-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-A302-2] GaN量子ドットBullseye構造の光子高取り出し効率化の検討

〇青木 伴晋¹、高 亢²、有田 宗貴²、荒川 泰彦²、ホームズ マーク^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：窒化物半導体、単一光子

半導体量子ドットを用いた単一光子源の実現を考えるうえで、半導体量子ドットから放出された光子は、その多くが半導体の外に出ずに内部で反射されてしまい、取り出すのが困難であるという問題がある。本研究ではIII族窒化物量子ドットにおいてこの問題を解決する為に、円環型DBR層により高い取り出し効率が得られるBullseye構造のパラメータを、シミュレーションによってさらに最適化した。これにより、光子取り出し効率を80 %以上に向上することが出来た。これは、窒化物量子ドットを用いた単一光子源において理論上最高値である。