[14a-A302-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [14a-A302-9] a面サファイア上に形成した高温アニールしたスパッタAlN上へのAl _0.6 Ga _0.4 N厚膜
の作製

〇(B)下川 萌葉¹、岩山 章^1,2、手良村 昌平¹、櫻木 勇介¹、安江 信次¹、石塚 彩花¹、大森 智也¹、山田 和輝¹、田中 隼也¹、佐藤 恒輔^1,3、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇⁴、三宅 秀人² (1.名城大、2.三重大地域イノベ、3.旭化成、4.名古屋大赤崎記念研究センター)

キーワード：半導体、AlGaN、UV-B