[14a-A303-1~7] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [14a-A303-4] Tm,Mg共添加GaNにおけるTm近赤外発光の増強

〇駒井 亮太¹、吉岡 尚樹¹、市川 修平¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大工)

キーワード：半導体、フォトルミネッセンス、希土類

我々はこれまでに、有機金属気相エピタキシャル(OMVPE)法によりGaNに希土類元素の一種であるTmをin-situ添加した層を活性層とした超狭帯域・超波長安定の近赤外発光ダイオード(NIR-LED)の実現に取り組んできた。実用化のためには、更なる発光強度増大が必要な現状にある。本研究では、Tmに加えてMg不純物を結晶成長中に意図的に共添加することにより、新しいTm発光中心の形成と、それに伴う発光強度の増強を観測したので報告する。