[14a-A303-1~7] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[14a-A303-5] Crystal growth of quantum cascade laser with high Al composition InAlAs barrier

〇Kei Kaneko¹, Rei Hashimoto¹, Tsutomu Kakuno¹, Shinji Saito¹, Kazuaki Sakoda² (1.Toshiba, 2.NIMS)

Keywords:quantum cascade laser, crystal growth

量子カスケードレーザの発光層は多数の量子井戸で構成される。発光の特性を向上するための量子構造がいくつか提案されているが、結晶成長において結晶歪や成長時の結晶原料の切り替え等の制限があり設計通りの結晶成長を実現することは容易ではない。今回我々は設計上発光層の効率向上が期待できる高Al組成なInAlAs障壁層を実現するためにInAlAs層にAlAsの超格子を形成する方法を検討しその結晶特性と発光特性を評価したので報告する。