[14a-A303-1~7] 13.8 光物性・発光デバイス

[14a-A303-5] 高Al組成-InAlAs障壁層を挿入した量子カスケードレーザの結晶成長

〇金子 桂¹、橋本 玲¹、角野 努¹、斎藤 真司¹、迫田 和彰² (1.東芝、2.物質材料研究機構)

キーワード：量子カスケードレーザ、結晶成長

量子カスケードレーザの発光層は多数の量子井戸で構成される。発光の特性を向上するための量子構造がいくつか提案されているが、結晶成長において結晶歪や成長時の結晶原料の切り替え等の制限があり設計通りの結晶成長を実現することは容易ではない。今回我々は設計上発光層の効率向上が期待できる高Al組成なInAlAs障壁層を実現するためにInAlAs層にAlAsの超格子を形成する方法を検討しその結晶特性と発光特性を評価したので報告する。