[14a-A303-1~7] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[14a-A303-7] Photoluminescence of Er³⁺ doped Bi₂O₃ thin films sputter deposited with H₂O vapor gas

〇Housei Akazawa¹ (1.NTT Device Innovation Center)

Keywords:Er3+, Bi2O3, PL

Er³⁺イオンをドープする母体材料としてBi₂O₃を使った導波路型の光デバイスが開発されている。しかしこの系における基本的な物性はほとんど研究されていない。今回成膜時の酸素源としてH₂Oを使うことで、O₂に比べて1桁高いEr³⁺からの近赤外発光強度を実現した。結晶相とスペクトル形状、発光強度の関連についての知見を報告する。