[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-2] 水晶振動子によるシリコンミニマルＣＶＤ装置内ガス移動観察

大谷 真奈¹、〇羽深 等¹、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、エピタキシャル成長、シリコン

小さなウエハ(直径12.5 mm)を用いて様々な電子部品を無駄なく必要な量だけ生産する「ミニマル・ファブ」において、シリコン化学気相堆積（CVD）装置の下流側に水晶振動子(QCM)を設置することによりプロセス全体に関わる様々な挙動を把握可能であることが報告されている。本研究においては、QCMをCVD装置の上流側および下流側に設置し、2か所のQCMの振動数挙動を基に製膜用化学種が反応容器を通り抜ける様子を考察したので、詳細を報告する。