2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14a-A305-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年3月14日(土) 09:00 〜 12:00 A305 (6-305)

角嶋 邦之(東工大)

10:45 〜 11:00

[14a-A305-7] ミニマルファブを用いたダイヤモンドウェハのデバイスプロセスⅡ

根本 一正1、谷島 孝1、田中 宏幸1、野田 周一1、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード:ミニマルファブ

ミニマルファブを用いてダイヤモンドのデバイス応用の可能性をこれまで調べてきた。実際にダイヤモンドウェハを用いてデバイス向け各種プロセスのテストを行い、現在プロセス開発が可能な水準に達していると判断した。今回、実用可能なデバイスプロセス開発の為、プロセスの要となる洗浄について評価実験行い、SPM洗浄で取り切れない微粒子がCMPで除去れる事が分った。