[14a-A401-1~5] 機能性酸化物のメモリデバイス応用とその物理解明に向けて

[14a-A401-3] 半導体メモリ絶縁膜特性解明に対する電子顕微鏡を中心とした分析的アプローチ

〇杉山 直之^1,2、生田目 俊秀²、上杉 文彦²、内城 貴則¹、川崎 直彦¹ (1.(株)東レリサーチセンター、2.物材機構)

キーワード：半導体メモリ、電子顕微鏡、分析・評価

半導体メモリに用いられる絶縁膜は、そのメモリの特性を支配する大きな要因の一つである。そのため、その性状（膜厚、結晶性、組成）を適切に分析・評価することは、メモリの特性向上にとって不可欠である。ここでは、HfO2系強誘電体薄膜およびNANDフラッシュメモリに用いられる電荷捕獲膜（ONO膜）などを例として、進境著しい電子顕微鏡技術を中心に絶縁膜の特性解明を目的として実施した、膜質の評価事例を紹介する。