[14a-A401-1~5] New functional memory devices with oxide materials and their physics

[14a-A401-4] Oxide Charge Trap Memory

〇Mutsunori Uenuma¹, Takanori Takahashi¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:charge trap, oxide

酸化物を用いたチャージトラップメモリの報告例を中心に、デバイス構造やメモリ特性について述べる。また、a-InGaZnOについて我々の研究についても紹介する。