[14a-A403-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[14a-A403-5] Influence on the Surface of p-Type Single Crystalline Si Cell by Potential Induced Degradation Test

〇Fumitaka Ohashi¹, Taishi Furuya¹, Nobukazu Kameyama¹, Yasushi Sobajima¹, Hiroki Yoshida¹, Atsushi Masuda², Shuichi Nonomura¹ (1.Gifu Univ., 2.AIST)

Keywords:silicon, solar cell, potential induced degradation

短期間に大幅な太陽電池モジュールの発電性能の低下を引き起こす電圧誘起劣化(potential induced degradation: PID)現象は、カバーガラス中もしくは、セル表面に汚染物質として存在するNaの移動が原因の一つとされている。これまでに我々は、Naの移動過程に注目し、PID加速試験後のp 型多結晶Si太陽電池モジュールにおいて、セル表面に局所的にNaが析出するとともに、SiN_x膜の導電性が高くなることを報告した[1, 2]。本研究では、p型単結晶Si太陽電池モジュールにおいて同様な評価を行い、単結晶、多結晶の違いよる影響に注目した。