[14a-A403-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[14a-A403-5] 電圧誘起劣化試験のp型単結晶Siセル表面への影響

〇大橋 史隆¹、古谷 大志¹、亀山 展和¹、傍島 靖¹、吉田 弘樹¹、増田 淳²、野々村 修一¹ (1.岐大、2.産総研)

キーワード：シリコン、太陽電池、電圧誘起劣化

短期間に大幅な太陽電池モジュールの発電性能の低下を引き起こす電圧誘起劣化(potential induced degradation: PID)現象は、カバーガラス中もしくは、セル表面に汚染物質として存在するNaの移動が原因の一つとされている。これまでに我々は、Naの移動過程に注目し、PID加速試験後のp 型多結晶Si太陽電池モジュールにおいて、セル表面に局所的にNaが析出するとともに、SiN_x膜の導電性が高くなることを報告した[1, 2]。本研究では、p型単結晶Si太陽電池モジュールにおいて同様な評価を行い、単結晶、多結晶の違いよる影響に注目した。