[14a-A403-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[14a-A403-7] Effect of a SiN_x film on the potential-induced degradation of n-type front-emitter c-Si photovoltaic modules

〇Tomoyasu Suzuki¹, Seira Yamaguchi¹, Kyotaro Nakamura², Atsushi Masuda³, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Toyota Tech. Inst., 3.AIST)

Keywords:potential-induced degradation, n-type crystalline silicon photovoltaic

n型フロントエミッター型(n-FE)結晶Si (c-Si)PVモジュールに関し、セル中のSiN_x膜がPIDにおよぼす影響を調査した。SiN_x/SiO₂膜がないセルを用いたモジュールでは、予想通り正電荷蓄積が原因の初期劣化が無かったが、p型c-Siでは見られなかったNa侵入に由来する劣化が遅延して発現した。したがって、n-FEセルのSiN_x膜は、Naの侵入を加速させる働きがある。また結果より、n-FEとp型c-Siではc-SiへのNaの侵入過程が異なる可能性が示唆される。