[14a-A403-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[14a-A403-8] Effect of light irradiation on the PID of n-type front-emitter crystalline Si photovoltaic modules without SiO₂

〇Rongrong Zhao¹, Tomoyasu Suzuki¹, Seira Yamaguchi¹, Kyotaro Nakamura², Atsushi Masuda³, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Toyota Tech. Inst., 3.AIST)

Keywords:n-type front-emitter, PID

SiO₂膜の無いn型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジューのPIDにおける光照射の効果を調査した。窒化Siへの正電荷蓄積に由来する初期の劣化が無く、その後のFFとV_ocの低下が見られた。光照射下と暗状態のPID試験結果を比べると、光照射によってPIDの進行にわずかな遅延を確認した。SiO₂膜が無いため、光照射によるSiN_xでのキャリア励起によってその導電性が向上し、SiN_x膜に印加される電界が低減し、Naのドリフトが弱められた可能性が考えられる。