[14a-A403-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[14a-A403-8] SiO₂膜の無いn型フロントエミッター型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化における光照射の効果

〇趙 蓉蓉¹、鈴木 友康¹、山口 世力¹、中村 京太郎²、増田 淳³、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.豊田工大、3.産総研)

キーワード：n型フロントエミッター型、PID

SiO₂膜の無いn型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジューのPIDにおける光照射の効果を調査した。窒化Siへの正電荷蓄積に由来する初期の劣化が無く、その後のFFとV_ocの低下が見られた。光照射下と暗状態のPID試験結果を比べると、光照射によってPIDの進行にわずかな遅延を確認した。SiO₂膜が無いため、光照射によるSiN_xでのキャリア励起によってその導電性が向上し、SiN_x膜に印加される電界が低減し、Naのドリフトが弱められた可能性が考えられる。