[14a-A404-3~11] 17.3 層状物質

[14a-A404-3] 極性に依存した窒化ガリウム基板上の単層遷移金属ダイカルコゲナイドの光学特性

〇毛利 真一郎¹、小路 悠馬¹、篠北 啓介²、松田 一成²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.京都大エネ研)

キーワード：原子層、MoS2、窒化物半導体

本研究では、自立GaN基板上に担持した単層MoS₂の発光特性が、基板の極性に依存してどう変化するか調べ、基板極性が単原子層材料に及ぼす影響について検討を行った。-c面(N極性面)上では励起子発光がほとんど見られず、荷電励起子発光が支配的となる。これは、自発分極の影響で-c面の表面付近でバンドが下向きにベンディングし、界面に蓄積した電子がMoS₂の励起子と相互作用するためと推測される。