SnS薄膜の電子状態とラマン活性モードの層数依存性

11:00 〜 11:15

[14a-A404-9] SnS薄膜の電子状態とラマン活性モードの層数依存性

〇(M1)米盛樹生¹、ダッタスディプタ²、長汐晃輔³、若林克法¹ (1.関学理工、2.インド科学教育研究大、3.東大工)

キーワード：硫化すず、第一原理計算、ラマンモード

硫化スズ（SnS）のバルク構造と少数層構造について, 一般化勾配近似(GGA-PBE)の下で, 構造最適化と電子状態及びフォノンモードをVASPを用いて計算した. フォノンモードのうち, ラマン活性となるに注目し, 層数依存性について解析を行った.