[14a-A405-1~7] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[14a-A405-5] Thermophysical Properties of Amorphous Oxide Thin Films; (2) Thermal Conductivity of Amorphous (Al_xGa_1-x)₂O₃ Thin Films

〇Chinami Abe¹, Yuichiro Yamashita^1,2, Yukimi Tanaka², Takashi Yagi^1,2, Makoto Kashiwagi¹, Junjun Jia³, Koichiro Hattori², Naoyuki Taketoshi^1,2, Toshihiro Okajima⁴, Yuki Oguchi⁵, Yuzo Shigesato¹ (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.AIST, 3.Waseda Univ., 4.Aichi SR, 5.AGU-CIA)

Keywords:Thermophysical properties

アモルファスAl₂O₃薄膜の熱伝導率は原子数密度に依存するが、複合酸化物膜では組成や局所構造などの影響も受けると考えられる。そこで(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜において、より広範囲な熱伝導制御を目指し、組成に対する熱伝導率変化を調べた。結果、熱伝導率はAl濃度80 at.%以下ではほぼ一定、80 at.%以上では他に比べ低い値となった。さらに、フォノンの平均自由行程とGa-O結合距離が異なることから、従来知見とは異なる可能性が示唆された。