[14a-A407-1~8] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [14a-A407-2] Evaluation of in-gap states of a-IGZO thin films by High Sensitivity Ultraviolet Photoemission Spectroscopy and Photothermal Deflection Spectroscopy

〇(B)Ryotaro Nakazawa¹, Atsushi Matsuzaki², Kohei Shimizu², Syohei Tanno², Hiroshi Tokairin³, Emi Kawashima³, Mojtaba Abdi Jalebi⁴, Sam Stranks⁴, Peter Krueger^2,5, Yuya Tanaka^1,2,6, Hisao Ishii^1,2,5,6 (1.Eng. Chiba Univ., 2.GSSE Chiba Univ., 3.Idemitsu Kosan, 4.Univ. of Cambridge, 5.MCRC Chiba Univ., 6.CFS Chiba Univ.)

Keywords:Ultraviolet Photoemission Spectroscopy, amorphous IGZO, Constant Final State

アモルファスIn-Ga-Zn-O (a-IGZO)のエネルギーギャップ内に存在する微弱な状態(in-gap states)を直接的に観測するために、励起光エネルギーhvを掃引しながら測定する高感度紫外光電子分光(HS-UPS)を行った。異なるhvで測ったスペクトルの同一の運動エネルギー点を結ぶConstant Final State法 (CFS) からin-gap statesを評価した。また、その結果を用いて吸収スペクトルをシミュレートし、高感度吸収測定である光熱偏向分光(PDS)の結果と比較してHS-UPSによって求めたin-gap statesの状態密度の妥当性を評価した。