[14a-A407-1~8] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [14a-A407-2] 高感度紫外光電子分光と光熱偏向分光によるa-IGZO薄膜のギャップ内準位の評価

〇(B)中澤 遼太郎¹、松崎 厚志²、清水 康平²、但野 将平²、東海林 弘³、川嶋 絵美³、アブディ　ジャレビ モイタバ⁴、ストランク サム⁴、クリューガー ピーター^2,5、田中 有弥^1,2,6、石井 久夫^1,2,5,6 (1.千葉大工、2.千葉大院融合理工、3.出光興産、4.ケンブリッジ大、5.千葉大MCRC、6.千葉大先進)

キーワード：紫外光電子分光、アモルファス IGZO、終状態固定法

アモルファスIn-Ga-Zn-O (a-IGZO)のエネルギーギャップ内に存在する微弱な状態(in-gap states)を直接的に観測するために、励起光エネルギーhvを掃引しながら測定する高感度紫外光電子分光(HS-UPS)を行った。異なるhvで測ったスペクトルの同一の運動エネルギー点を結ぶConstant Final State法 (CFS) からin-gap statesを評価した。また、その結果を用いて吸収スペクトルをシミュレートし、高感度吸収測定である光熱偏向分光(PDS)の結果と比較してHS-UPSによって求めたin-gap statesの状態密度の妥当性を評価した。