[14a-A407-1~8] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[14a-A407-7] Diode characteristics of MnTe/Oxide layerd structure

〇(M1)Mihyeon Kim¹, Shunsuke Mori¹, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:pn heterojunction, Manganese Telluride, selector devices

相変化メモリは，情報社会に向けた次世代型メモリデバイスとして有望である．メモリの実用化には，相変化材料だけでなく，メモリセルへの意図しない電流印加を防ぐために，ダイオード特性を示すセレクタ材料も必要である．現在，セレクタ材料として広く使われているOvonic threshold switchesには熱安定性に懸念があり，それに代わるセレクタ材料として金属ショットキー接合またはメモリ層とのpn接合が提案されている．近年，メモリ材料として注目されているManganese Telluride (MnTe)はβ相とα相間の多形変化に伴う電気抵抗差を利用してメモリ特性を発現すし，これら2相は両方ともp型半導体である．本研究では，p-MnTe/n-Oxide積層構造を用いたpn接合の形成及びそのデバイスへの応用可能性について議論する．