An effective carrier compensation under spin injection to ambipolar conductor with intrinsically different hole and electron densities

Mst Sanjida Aktar; Masamichi Sakai; Toshihiro Yoshizumi; Osamu Nakamura; Shigehiko Hasegawa; Hiroyuki Awano

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[14a-A501-1~13] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

2020年3月14日(土) 09:00 〜 12:30 A501 (6-501)

好田誠(東北大)、谷口知大(産総研)

10:00 〜 10:15

▲ [14a-A501-5] An effective carrier compensation under spin injection to ambipolar conductor with intrinsically different hole and electron densities

〇(D)Mst Sanjida Aktar¹、Masamichi Sakai¹、Toshihiro Yoshizumi¹、Osamu Nakamura²、Shigehiko Hasegawa³、Hiroyuki Awano⁴ (1.Saitama Univ.、2.Okayama Univ. of Sci、3.ISIR Osaka Univ.、4.Toyota Tech. Inst.)

キーワード：Ambipolar conductor, Hall resistivity, Dissipationless spin current