[14a-B401-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14a-B401-1] Irradiation energy dependence of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

〇Meguru Endo¹, Kazutaka Kanegae¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Deep level, Electron beam

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べている．これまでに，n-GaNに対しエネルギー401 keVの電子線照射を行うことによって，ホールトラップEHyが観測されることを報告してきた．今回は，低エネルギーにて電子線照射を行った試料に対して，光ICTS測定を行うことで，ホールトラップEHyを評価し，このトラップの電子線の照射エネルギー依存性について調べたので報告する．