[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-1] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性

〇遠藤 彗¹、鐘ヶ江 一孝¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位、電子線照射

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べている．これまでに，n-GaNに対しエネルギー401 keVの電子線照射を行うことによって，ホールトラップEHyが観測されることを報告してきた．今回は，低エネルギーにて電子線照射を行った試料に対して，光ICTS測定を行うことで，ホールトラップEHyを評価し，このトラップの電子線の照射エネルギー依存性について調べたので報告する．