[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-10] ゲート絶縁膜成膜方法の異なるGaN-MOSFET のチャネル特性評価

〇池田 智史¹、大川 峰司¹、富田 英幹¹、渡部 敦¹、徳田 豊² (1.トヨタ自動車(株)、2.愛知工大)

キーワード：窒化ガリウム