[14a-B401-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[14a-B401-7] Measurement of Two-Photon Induced Current in GaN Vertical p-n Diode

〇Seiya Kawasaki¹, Yuto Ando¹, Atsushi Tanaka^2,3, Mayuko Tsukagoshi⁴, Tomoyuki Tanikawa⁴, Manato Deki², Maki Kushimoto¹, Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,5,6 (1.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.Osaka Univ, 5.Akasaki R.C., 6.VBL)

Keywords:GaN, Multi photon excitation microscope, Optical Beam Induced Current

多光子励起顕微鏡の電気特性評価への応用に向け、GaN縦型p-nダイオードにおける2光子励起光電流の励起深さ依存性について評価を行った。その結果、レーザー焦点位置を深くするにつれ、光電流がガウス分布状を呈した。また逆バイアスを高くするにつれ、光電流は大きくなり、左右非対称となっていった。これは試料内部で点拡がり関数が変調を受けていることを示唆している。