[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-7] GaN縦型p-nダイオードにおける2光子吸収光電流の測定

〇川崎 晟也¹、安藤 悠人¹、田中 敦之^2,3、塚越 真悠子⁴、谷川 智之⁴、出来 真斗²、久志本 真希¹、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,5,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物材機構、4.阪大院工、5.赤﨑記念研究センター、6.名大VBL)

キーワード：窒化ガリウム、多光子顕微鏡、OBIC測定

多光子励起顕微鏡の電気特性評価への応用に向け、GaN縦型p-nダイオードにおける2光子励起光電流の励起深さ依存性について評価を行った。その結果、レーザー焦点位置を深くするにつれ、光電流がガウス分布状を呈した。また逆バイアスを高くするにつれ、光電流は大きくなり、左右非対称となっていった。これは試料内部で点拡がり関数が変調を受けていることを示唆している。