[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-8] 転位上に形成した微小径p-n接合ダイオードにおける電流量減少

〇太田 博¹、浅井 直美¹、吉田 丈洋²、堀切 文正²、成田 好伸²、三島 友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス)

キーワード：GaN、p-nダイオード、貫通転位密度

前回、貫通転位密度(TDD)の増加によりオン抵抗が増大し電流が減少することを報告した。今回は転位１つがどの程度電流減少に寄与するか詳細に評価するため、転位上と無転位領域上に微小径（直径6μm）のダイオードを作製し両者のI-V特性の比較を行った。その結果、転位上のダイオードにおいて電流の減少とオン抵抗の増大が確認され、両者の電流平均値の差は約0.37 mAとなった。