11:15 AM - 11:30 AM
[14a-B401-9] DLTS and MCTS study of n-GaN Schottky diodes fabricated after removal of gate oxide
Keywords:DLTS, MCTS, GaN
n-GaN上にP-CVD法とALD法により堆積させたSiO2とのn-GaN界面の界面準位密度について、DLTS法を用いて評価し、ALD堆積SiO2/n-GaN界面準位密度が低密度である事とフォーミングガスアニールの効果について報告した。今回はSiO2膜を除去して作製したショットキーダイオードを用いて、n-GaNのバルクトラップについて評価を行ったので報告する。その結果、P-CVD膜除去試料では深い準位の電子トラップの導入が示唆された。正孔トラップの評価から、ALD, P-CVD膜除去試料とも250K付近をピークに持つブロードな信号が観測された。信号強度はALD SiO2膜除去試料の方が大きく、その原因について検討している。