[14a-B410-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[14a-B410-7] 直接貼付InP/Si基板上選択成長GaInAsP/GaInAsP MQW構造のフォトルミネッセンス特性

〇(B)澁川 航大¹、対馬 幸樹¹、韓 旭¹、石崎 隆浩¹、松浦 正樹¹、白井 琢人¹、佐藤 元就¹、藤原 啓太¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現に向け，当研究室では，MOVPE法によって，薄膜InPをSi基板に直接貼り付けをしたInP/Si基板を作製し，光デバイスを集積する手法を提案してきた[1,2]．今回，このInP/Si基板上において，フォトリソグラフィによってSiO₂薄膜を任意の幅でパターンニングし，SiO₂がないストライプ部のみを選択的にエピタキシャル成長をすることで，GaInAsP/ GaInAsP MQW構造をMOVPE成長した. この構造のフォトルミネッセンス特性の比較を行ったので，その結果を報告する．