The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[14a-B410-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

Sat. Mar 14, 2020 9:30 AM - 12:15 PM B410 (2-410)

Masakazu Arai(Univ. of Miyazaki), Kiyoto Takahata(Waseda univ.)

11:30 AM - 11:45 AM

[14a-B410-8] Comparison of the Temperature Characteristics of Intermixed Quantum Dot LDs for Implanted Ions

Atsushi Matsumoto1, Kouichi Akahane1, Syohei Isawa2, Runa Kaneko2, Yuichi Matsushima2, Katsuyuki Utaka2 (1.NICT, 2.Waseda Univ.)

Keywords:Quantum dot, Intermixing, laser

これまでイオン注入を用いたQD組成混晶化(IID-QDI)技術により、再成長不要なQDモノリシックPICを実証してきた。BイオンはArに比べより大きなバンドギャップの変化・制御が可能である一方、ArによるIID-QDIを実施したウェハは非常に温度特性に優れたLDに応用出来ることも実証してきた。今回、新たにBによるIID-QDIを実施したLDを作製し評価した結果、特性向上が出来たので報告する。