2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[14a-B410-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2020年3月14日(土) 09:30 〜 12:15 B410 (2-410)

荒井 昌和(宮崎大)、髙畑 清人(早大)

11:45 〜 12:00

[14a-B410-9] ミリ波帯Radio over fiberのための平面アンテナを集積したInGaAs/InAlAs多重量子井戸光変調器の変調特性評価

宮関 勇輔1、横橋 裕斗2、児玉 将太郎2、村田 博司2、荒川 太郎1 (1.横国大院工、2.三重大院工)

キーワード:変調器、半導体、平面アンテナ

ミリ波帯Radio over fiber技術のため、ニオブ酸リチウム(LN)や非線形光学ポリマをベースにしたアンテナ集積光変調器が報告されている。これらはポッケルス効果を用いて動作するが、小型化や変調効率の向上に限界がある。そこで本研究では、InP系アンテナ集積光変調器を開発し、その動作実証に初めて成功した。本変調器は、導波路コア層に用いた5層非対称結合量子井戸(FACQW)の量子閉じ込めシュタルク効果を利用して動作する。FACQWは、LNと比較して数倍から数十倍大きい電界誘起屈折率変化を示し、高い変調効率を実現できる。また、本変調器はInPをベースとするため、半導体発光素子との集積性も高い。本稿では、開発したInP系アンテナ集積光変調器の変調特性について示す。