[14a-D221-1~12] 6.2 Carbon-based thin films

[14a-D221-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] n-Type doping of diamond by hot-filament CVD growth

〇Yuki Katamune¹, Daichi Mori¹, Daisuke Arikawa¹, Akira Izumi¹, Takehiro Shimaoka², Kimiyoshi Ichikawa², Satoshi Koizumi² (1.Kyutech, 2.NIMS)

Keywords:n-type diamond, phosphorus doping, hot-filament CVD

ダイヤモンドのn型半導体化は，マイクロ波を利用したプラズマCVDでのリンドーピングを伴う結晶成長により行われるが，大面積プロセスが可能な熱フィラメント (HF) CVD法ではフィラメント材からの金属不純物混入の懸念があり未実現であった．最近，我々はHFCVD法で成長したリンドープダイヤモンド膜において，成長パラメータを最適化することで，Hall効果測定で明瞭なn型電気伝導が得られることを発見した．フィラメント由来の金属不純物が成長膜に取り込まれるが，リンドープ膜の電気的特性への影響は限定的である可能性がある．本稿では，HFCVD法により成長したリンドープ(111)ダイヤモンド膜のn型半導体特性について報告する．