[14a-D221-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

[14a-D221-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 熱フィラメントCVD成長によるダイヤモンドのn型ドーピング

〇片宗 優貴¹、森 大地¹、有川 大輔¹、和泉 亮¹、嶋岡 毅紘²、市川 公善²、小泉 聡² (1.九州工大、2.物材機構)

キーワード：n型ダイヤモンド、リンドーピング、熱フィラメントCVD

ダイヤモンドのn型半導体化は，マイクロ波を利用したプラズマCVDでのリンドーピングを伴う結晶成長により行われるが，大面積プロセスが可能な熱フィラメント (HF) CVD法ではフィラメント材からの金属不純物混入の懸念があり未実現であった．最近，我々はHFCVD法で成長したリンドープダイヤモンド膜において，成長パラメータを最適化することで，Hall効果測定で明瞭なn型電気伝導が得られることを発見した．フィラメント由来の金属不純物が成長膜に取り込まれるが，リンドープ膜の電気的特性への影響は限定的である可能性がある．本稿では，HFCVD法により成長したリンドープ(111)ダイヤモンド膜のn型半導体特性について報告する．