[14a-D221-1~12] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14a-D221-10] Electrical excitation of GeV centers using a lateral pn junction diode

〇Kohei Suda¹, Takuya Murooka¹, Yang Bang¹, Wang Peng¹, Soramitsu Kato², Toshiharu Makino², Masahiko Ogura², Satoshi Yamazaki², Takashi Taniguchi³, Mutsuko Hatano¹, Takayuki Iwasaki¹ (1.Tokyo Tech., 2.AIST, 3.NIMS)

Keywords:GeV centers, quantum light source, electrical exitation

ダイヤモンド結晶中のカラーセンターは量子情報通信に用いられる単一光子源として有望な系であり、その中でもGeVセンターはZPLへの優れた発光集中性と高い量子効率が期待されている。本研究では、GeVアンサンブルセンターのELを世界で初めて実現し、その発光特性を観測した。この結果は、今後単一状態でのELの実現など、単一量子光源にむけてのさらなる発展の技術基盤となるものである。