[14a-D221-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-D221-11] デバイス構造を用いたダイヤモンド中NVセンタの光電流検出

〇椎貝 雅文¹、室岡 拓也¹、楊 棒¹、牧野 俊晴²、加藤 宙光²、小倉 政彦²、山崎 聡²、波多野 睦子¹、岩崎 孝之¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：NVセンタ、ダイヤモンド

NVセンタのスピン状態の読み出しを行う方法の一つに電気的に読み出す方法がある。本研究ではNVセンタを形成したpinダイオードを使用し、レーザパワーと光電流の依存性を測定した。このとき検出した光電流はレーザパワーの二乗に比例して増加しているためNVからの光電流であることが確認できた。そしてデバイス構造により、バイアスを印加していない状態で光電流を検出することができた。