[14a-D221-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-D221-4] サファイア基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャルの成長機構

〇(B)高谷 亮太¹、川又 友喜²、小山 浩司²、金 聖祐²、嘉数 誠¹ (1.佐賀大工、2.アダマンド並木精密宝石)

キーワード：ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、サファイア

​ダイヤモンドは絶縁破壊電界、熱伝導率，キャリア移動度に優れ、SiC、GaNを越える高周波・高出力デバイスが期待されている。一方、2インチ径で単結晶並みの品質をもつヘテロエピタキシャルダイヤモンド(Kenzan Diamond^Ⓡ)が実現している。これは従来のMgOやSi/YSZ基板でなくサファイア基板用いているが、その成長機構はよく分かっていない[1, 2]。そこで本研究ではその成長機構を調べたので報告する