[14a-D221-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

[14a-D221-5] ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の結晶性とショットキーバリアダイオード特性

〇大曲 新矢¹、小林 篤史¹、坪内 信輝¹、山田 英明¹ (1.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル、ダイオード

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜のSBD特性が報告されている．室温で10⁸を超える高い整流比が確認されている一方で，結晶面内の不均一性が大きく，デバイス特性のばらつきが大きい．我々は，CVD成長中に金属原子を意図的に混入させることで，結晶性を改善する，金属援用終端法 (metal-assisted termination: MAT) を開発した．本研究では，ヘテロエピタキシャル基板上で，MATバッファ層挿入前後のドリフト層の品質を評価し，SBD特性に与える影響を調べた．