[14a-D221-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-D221-6] ダイヤモンドSchottky-pnダイオードの低温における電気特性のn層膜厚依存性

〇唐澤 歩睦¹、牧野 俊晴^1,2、Traore Aboulaye¹、加藤 宙光²、小倉 政彦²、加藤 有香子²、竹内 大輔²、山崎 聡^1,2、櫻井 岳暁¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、パワーデバイス、ダイオード

ダイヤモンドを用いたパワーデバイス設計によく用いられるホッピング伝導層とバンド伝導層の接合を持ったダイヤモンドSchottky-pnダイオードを用いて、電気特性の膜厚依存性について研究した。
そして、この接合での低温領域におけるキャリア伝導機構を解明した。