The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.5 Surface Physics, Vacuum

[14a-D411-1~7] 6.5 Surface Physics, Vacuum

Sat. Mar 14, 2020 10:00 AM - 12:00 PM D411 (11-411)

Kei Mitsuhara(Ritsumeikan Univ.)

11:15 AM - 11:30 AM

[14a-D411-5] Analysis of Cs adsorption states on GaAs during NEA activation by temperature programmed desorption

Yuhi Sada1, masaru Jounou1, Takashi Meguro1 (1.Tokyo University of Science)

Keywords:GaAs, negative electron affinity, temperature programmed desorption

本研究では、NEA表面形成過程におけるGaAs上のCs吸着状態の変化と電子放出の関係を、昇温脱離法(temperature programmed desorption : TPD)によって評価した。NEA表面形成中光電流は複数極大値を形成するが、その極大値毎にTPD測定を行った。量子効率はどの極大値からTPD測定を行っても、300℃に到達するまでに0になったが、Csの脱離は300℃以降も続いた。現段階では、300℃までに脱離するCsが直接電子放出に関与していると推測している。

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