The 67th JSAP Spring Meeting 2020

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.5 Surface Physics, Vacuum

[14a-D411-1~7] 6.5 Surface Physics, Vacuum

Sat. Mar 14, 2020 10:00 AM - 12:00 PM D411 (11-411)

Kei Mitsuhara(Ritsumeikan Univ.)

11:15 AM - 11:30 AM

[14a-D411-5] Analysis of Cs adsorption states on GaAs during NEA activation by temperature programmed desorption

Yuhi Sada1, masaru Jounou1, Takashi Meguro1 (1.Tokyo University of Science)

Keywords:GaAs, negative electron affinity, temperature programmed desorption

本研究では、NEA表面形成過程におけるGaAs上のCs吸着状態の変化と電子放出の関係を、昇温脱離法(temperature programmed desorption : TPD)によって評価した。NEA表面形成中光電流は複数極大値を形成するが、その極大値毎にTPD測定を行った。量子効率はどの極大値からTPD測定を行っても、300℃に到達するまでに0になったが、Csの脱離は300℃以降も続いた。現段階では、300℃までに脱離するCsが直接電子放出に関与していると推測している。

Password authentication.
The password has been sent to pre-registrants.
The password is also printed on the back of the name badge,
which will be enclosed with the extended abstracts DVD.
The password will be sent to all JSAP members in September 2020.

Password