[14a-D411-1~7] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[14a-D411-5] Analysis of Cs adsorption states on GaAs during NEA activation by temperature programmed desorption

〇Yuhi Sada¹, masaru Jounou¹, Takashi Meguro¹ (1.Tokyo University of Science)

Keywords:GaAs, negative electron affinity, temperature programmed desorption

本研究では、NEA表面形成過程におけるGaAs上のCs吸着状態の変化と電子放出の関係を、昇温脱離法(temperature programmed desorption : TPD)によって評価した。NEA表面形成中光電流は複数極大値を形成するが、その極大値毎にTPD測定を行った。量子効率はどの極大値からTPD測定を行っても、300℃に到達するまでに0になったが、Csの脱離は300℃以降も続いた。現段階では、300℃までに脱離するCsが直接電子放出に関与していると推測している。