[14a-D411-1~7] 6.5 表面物理・真空

[14a-D411-5] 昇温脱離法によるGaAsのNEA活性化過程におけるCs吸着状態の評価

〇佐田 雄飛¹、城生 大¹、目黒 多加志¹ (1.東京理科大学)

キーワード：GaAs、負の電子親和力、昇温脱離法

本研究では、NEA表面形成過程におけるGaAs上のCs吸着状態の変化と電子放出の関係を、昇温脱離法(temperature programmed desorption : TPD)によって評価した。NEA表面形成中光電流は複数極大値を形成するが、その極大値毎にTPD測定を行った。量子効率はどの極大値からTPD測定を行っても、300℃に到達するまでに0になったが、Csの脱離は300℃以降も続いた。現段階では、300℃までに脱離するCsが直接電子放出に関与していると推測している。