[14a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [14a-D419-10] エピタキシャル菱面体晶Pb(Zr, Ti)O₃薄膜のドメインスイッチングが電気光学特性に与える影響

〇(D)近藤 真矢¹、山田 智明¹、坂田 修身²、吉野 正人¹、長崎 正雅¹ (1.名大工、2.NIMS)

キーワード：強誘電体薄膜、電気光学効果、ドメインスイッチング

本研究では配向の異なる菱面体晶Pb(Zr, Ti)O₃ (PZT) 薄膜を作製し、強弾性ドメイン及びそのドメインスイッチングが電気光学 (EO) 特性に与える影響を調べた。その結果、基板垂直方向に等価でないドメインを有する(111)配向PZT膜においては、(001)配向PZT膜とは異なり、印加する電界の大きさによってEO応答が大きく異なり、動的なドメイン割合の変化が起こる電界で最大のEO効果を示した。