[14a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-D419-3] ダイヤモンドFeFETに対する残留分極を用いた疑似ノーマリオフ動作に関する検証

〇(M1)玉村 達哉¹、山田 樹¹、松本 翼²、中嶋 宇史³、徳田 規夫²、川江 健¹ (1.金沢大理工、2.金沢大ナノマリ研、3.東京理科大)

キーワード：ダイヤモンド

我々は、ダイヤモンドFETの低損失化と疑似ノーマリオフ動作を念頭に強誘電体をゲートとしたダイヤモンドFET（FeFET）を提案し、ダイヤモンドFeFETの基本動作や高効率なキャリア誘起を実証してきた。 一方、ダイヤモンドFeFETの疑似ノーマリオフ動作に関して、チャネルのキャリア密度に対する強誘電体の残留分極値が低いことから実現には至っていない。この状況に対し、H終端チャネルを部分的にO終端化する事で局所的にキャリア密度を低減させたチャネル構造が疑似ノーマリオフ動作化に有用であることを見出した。今回、疑似ノーマリオフ動作に関する検証として、残留分極による空乏状態の保持を評価した。