[14a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [14a-D419-8] Bi₂SiO₅エピタキシャル薄膜の結晶成長に関する検討

〇(P)小寺 正徳¹、清水 荘雄^2,3、舟窪 浩^1,3 (1.東工大元素、2.物材研、3.東工大物院)

キーワード：強誘電体、エピタキシャル薄膜、Bi2SiO5

強誘電体はこれまでペロブスカイト構造酸化物を中心に研究されてきたが、非ペロブスカイト構造強誘電体への注目が高まっている。最近新規強誘電体として、Bi₂O₂^2-とSiO₃²⁺がa軸方向に積層したBi₂SiO₅が報告された。我々は、非(100)配向したBi₂SiO₅薄膜をエピタキシャル成長させ、強誘電特性を確認した。本研究ではエピタキシャル成長する成膜条件や薄膜化することによる格子定数への影響などを詳細に評価したので報告する。