[14a-PA3-1~9] 9.5 新機能材料・新物性

[14a-PA3-7] 希土類水素化物半導体薄膜YbH₂の光学特性

〇中村 修¹、小柴 慶悟³、吉澤 輝³、吉住年弘 年弘³、栗田 満史²、酒井 政道³ (1.岡山理大研究･社会連携セ、2.岡山理大工、3.埼大院理工学)

キーワード：半導体、希土類水素化物、4f準位

希土類三水素化物(RH₃ R:希土類元素: R³⁺)半導体は、価電子帯が主に水素1s軌道から構成される。4f準位に電子がある場合、フェルミ準位よりかなり深い位置にあると考えられる。一方、希土類二水素化物は(RH₂: R³⁺)はほとんどの場合に金属であるがEuH₂とYbH₂(R²⁺)は半導体であり、4f準位はフェルミ準位に近くなると考えられる。今回、我々は4f準位の位置に興味を持ち、YbH₂薄膜の光学測定を行った。